Name: ISG0613N04NM6HSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISG0613N04NM6HSCATMA1TR-ND
Price: 4.7957 EUR
Availability: OutOfStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

ISG0613N04NM6HSCATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-ISG0613N04NM6HSCATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-ISG0613N04NM6HSCATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-ISG0613N04NM6HSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	ISG0613N04NM6HSCATMA1
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 40V 42A 10WHITFN
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 40V 42A (Ta), 299A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) Oberflächenmontage PG-WHITFN-10-1
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 6
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 N-Kanal (Halbbrücke)
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	42A (Ta), 299A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	0,88mOhm bei 50A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,8V bei 780µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	104nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	6200pF bei 20V
Leistung - Max.	3W (Ta), 167W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	10-PowerWDFN
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-WHITFN-10-1