IRL6372TRPBF Infineon Technologies | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRL6372TRPBF
DigiKey-Teilenr.	IRL6372TRPBFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IRL6372TRPBFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) IRL6372TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRL6372TRPBF
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 30V 8,1A 2W Oberflächenmontage 8-SO
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRL6372TRPBF Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Obsolet
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 N-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal	Logikpegel-Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	8,1A
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	17,9mOhm bei 8,1A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	1,1V bei 10µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	11nC bei 4,5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1020pF bei 25V
Leistung - Max.	2W
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-SO
Basis-Produktnummer	IRL6372

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