MOSFETs - Arrays 30V 2,3A 2W Oberflächenmontage 8-SO
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRF9953PBF

DigiKey-Teilenr.
IRF9953PBF-ND
Hersteller
Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer
IRF9953PBF
Beschreibung
MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8SO
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 30V 2,3A 2W Oberflächenmontage 8-SO
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Hersteller
Infineon Technologies
Serie
HEXFET®
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Bei DigiKey nicht mehr erhältlich
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration
2 P-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
2,3A
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
250mOhm bei 1A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
1V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
12nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
190pF bei 15V
Leistung - Max.
2W
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle
8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-SO
Basis-Produktnummer
IRF995
Fragen und Antworten zum Produkt

Erfahren Sie, was Ingenieure fragen, stellen Sie Ihre eigenen Fragen oder helfen Sie einem Mitglied der DigiKey-Community

0 auf Lager
Aufgrund vorübergehender Lieferengpässe können wir keine Rückstandsaufträge annehmen. Informationen zu Lieferzeiten sind zu diesem Zeitpunkt nicht verfügbar. Alternative Verpackungsarten anzeigen.