IRF8313TRPBF Infineon Technologies | FET- und MOSFET-Arrays

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IRF8313TRPBF
DigiKey-Teilenr.	IRF8313TRPBFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IRF8313TRPBFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) IRF8313TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRF8313TRPBF
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SO
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 30V 9,7A 2W Oberflächenmontage 8-SO
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRF8313TRPBF Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 15,5mOhm bei 9,7A, 10V
Hersteller Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) bei Id 2,35V bei 25µA
Serie HEXFET®	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 9nC bei 4,5V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 760pF bei 15V
Status der Komponente Obsolet	Leistung - Max. 2W
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Konfiguration 2 N-Kanal (zweifach)	Montagetyp Oberflächenmontage
FET-Merkmal Logikpegel-Gate	Gehäuse / Hülle 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-SO
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 9,7A	Basis-Produktnummer IRF8313