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Diodes Incorporated
Vorrätig: 2.002
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Datenblatt
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IRF8313PBF

DigiKey-Teilenr.
IRF8313PBF-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IRF8313PBF
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SO
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 30V 9,7A 2W Oberflächenmontage 8-SO
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Hersteller
Infineon Technologies
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Bei Digi-Key nicht mehr erhältlich
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration
2 N-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal
Logikpegel-Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
9,7A
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
15,5mOhm bei 9,7A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
2,35V bei 25µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
90nC bei 4,5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
760pF bei 15V
Leistung - Max.
2W
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle
8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-SO
Basis-Produktnummer
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