IRF7904PBF Infineon Technologies | Diskrete Halbleiterprodukte

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IRF7904PBF
DigiKey-Teilenr.	IRF7904PBF-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRF7904PBF
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8SO
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 30V 7,6 A, 11 A 1,4W, 2W Oberflächenmontage 8-SO
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 N-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal	Logikpegel-Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	7,6 A, 11 A
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	16,2mOhm bei 7,6A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,25V bei 25µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	11nC bei 4,5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	910pF bei 15V
Leistung - Max.	1,4W, 2W
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-SO
Basis-Produktnummer	IRF7904