Name: IRF7329TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF7329PBFTR-ND
Price: 1.7017 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRF7329TRPBF
DigiKey-Teilenr.	IRF7329PBFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IRF7329PBFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) IRF7329PBFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRF7329TRPBF
Beschreibung	MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8SO
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 12V 9,2A 2W Oberflächenmontage 8-SO
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Nur verfügbar bis
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 P-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal	Logikpegel-Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	12V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	9,2A
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	17mOhm bei 9,2A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	900mV bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	57nC bei 4,5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3450pF bei 10V
Leistung - Max.	2W
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-SO
Basis-Produktnummer	IRF732