Name: IPG20N06S2L35ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPG20N06S2L35ATMA1TR-ND
Price: 1.9754 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPG20N06S2L35ATMA1
DigiKey-Teilenr.	IPG20N06S2L35ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IPG20N06S2L35ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IPG20N06S2L35ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPG20N06S2L35ATMA1
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 55V 20A 65W Oberflächenmontage PG-TDSON-8-4
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPG20N06S2L35ATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 N-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal	Logikpegel-Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	55V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	20A
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	35mOhm bei 15A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2V bei 27µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	23nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	790pF bei 25V
Leistung - Max.	65W
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	8-PowerVDFN
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TDSON-8-4
Basis-Produktnummer	IPG20N