Name: IMT65R030M1HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMT65R030M1HXUMA1TR-ND
Price: 11.1503 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IMT65R030M1HXUMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IMT65R030M1HXUMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IMT65R030M1HXUMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IMT65R030M1HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IMT65R030M1HXUMA1
Beschreibung	SILICON CARBIDE MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers	23 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	650 V Oberflächenmontage PG-HSOF-8-2
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IMT65R030M1HXUMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	-
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	-
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	-
Vgs(th) (max.) bei Id	-
Vgs (Max.)	-
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	-
Betriebstemperatur	-
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-HSOF-8-2
Gehäuse / Hülle	8-PowerSFN