Name: IMSQ120R053M2HHXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMSQ120R053M2HHXUMA1TR-ND
Price: 14.9464 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IMSQ120R053M2HHXUMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IMSQ120R053M2HHXUMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IMSQ120R053M2HHXUMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IMSQ120R053M2HHXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IMSQ120R053M2HHXUMA1
Beschreibung	SICFET 2N-CH 1200V 45A HDSOP16
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 45 A (Tc) 234W (Tc) Oberflächenmontage PG-HDSOP-16-221
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™ G2
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Konfiguration	2 N-Kanal (Halbbrücke)
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200V (1,2kV)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	45 A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	53mOhm bei 13A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id	5,1V bei 4,1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	28nC bei 0V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1010pF bei 800V
Leistung - Max.	234W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	24-BSOP (0,606", 15,40mm Breite), 16 Anschlüsse, freiliegende Kontaktfläche
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-HDSOP-16-221