IKP08N65F5XKSA1 Infineon Technologies | Einzelne IGBTs

IGBT 650 V 18 A 70 W Durchkontaktierung PG-TO220-3-111

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IKP08N65F5XKSA1
DigiKey-Teilenr.	IKP08N65F5XKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IKP08N65F5XKSA1
Beschreibung	IGBT 650V 18A TO220-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT 650 V 18 A 70 W Durchkontaktierung PG-TO220-3-111
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IKP08N65F5XKSA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs Einzelne IGBTs	Eingangstyp Standard
Hersteller Infineon Technologies	Gate-Ladung 22 nC
Serie TRENCHSTOP™	Td (on/off) bei 25°C 10ns/116ns
Verpackung Stange	Testbedingung 400V, 4A, 48Ohm, 15V
Status der Komponente Obsolet	Umkehrerholungszeit (trr) 41 ns
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 650 V	Betriebstemperatur -40°C bis 175°C (TJ)
Strom - Kollektor (Ic) (max.) 18 A	Montagetyp Durchkontaktierung
Strom - Kollektor, gepulst (Icm) 24 A	Gehäuse / Hülle TO-220-3 voller Pack
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic 2,1V bei 15V, 8A	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO220-3-111
Leistung - Max. 70 W	Basis-Produktnummer IKP08N65
Schaltenergie 70µJ (Ein), 20µJ (Aus)

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