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Infineon Technologies
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Stückpreis : 1.730,81000 €
Datenblatt
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FS03MR12A6MA1LB

DigiKey-Teilenr.
448-FS03MR12A6MA1LB-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
FS03MR12A6MA1LB
Beschreibung
MOSFET 6N-CH 1200V AG-HYBRIDD
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 400A Chassisbefestigung AG-HYBRIDD-2
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
FS03MR12A6MA1LB Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Hersteller
Infineon Technologies
Serie
Verpackung
Tablett
Status der Komponente
Aktiv
Technologie
Siliziumkarbid (SiC)
Konfiguration
6 N-Kanal (3-Phasen-Brücke)
FET-Merkmal
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200V (1,2kV)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
400A
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
3,7mOhm bei 400A, 15V
Vgs(th) (max.) bei Id
5,55V bei 240mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
1320nC bei 15V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
42600pF bei 600V
Leistung - Max.
-
Betriebstemperatur
-40°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp
Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle
Modul
Gehäusetyp vom Lieferanten
AG-HYBRIDD-2
Basis-Produktnummer
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