FS03MR12A6MA1BBPSA1
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FS03MR12A6MA1BBPSA1

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448-FS03MR12A6MA1BBPSA1-ND
cms-manufacturer
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FS03MR12A6MA1BBPSA1
cms-description
MOSFET 6N-CH 1200V AG-HYBRIDD
cms-standard-lead-time
39 Wochen
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cms-detailed-description
MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 400A (Tj) Chassisbefestigung AG-HYBRIDD-2
Datenblatt
 Datenblatt
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FS03MR12A6MA1BBPSA1 Modelle
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cms-type
cms-description
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cms-category
Hersteller
Infineon Technologies
Serie
Verpackung
Tablett
Status der Komponente
Aktiv
Technologie
Siliziumkarbid (SiC)
Konfiguration
6 N-Kanal (3-Phasen-Brücke)
FET-Merkmal
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200V (1,2kV)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
400A (Tj)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
3,7mOhm bei 400A, 15V
Vgs(th) (max.) bei Id
5,55V bei 240mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
1320nC bei 15V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
42500pF bei 600V
Leistung - Max.
-
Betriebstemperatur
-40°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp
Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle
Modul
Gehäusetyp vom Lieferanten
AG-HYBRIDD-2
Basis-Produktnummer
cms-product-q-and-a

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Auf Lager: 9
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Tablett
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