Neues Produkt
FF06MR12A04MA2AKSA1
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FF06MR12A04MA2AKSA1

DigiKey-Teilenr.
448-FF06MR12A04MA2AKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
FF06MR12A04MA2AKSA1
Beschreibung
HYBRIDPACK DSC S MODULE WITH SIC
Standardlieferzeit des Herstellers
44 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 190A 20mW Durchkontaktierung PG-MDIP-11-1
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Hersteller
Infineon Technologies
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
Technologie
Siliziumkarbid (SiC)
Konfiguration
2 N-Kanal (Halbbrücke)
FET-Merkmal
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200V (1,2kV)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
190A
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
5,56mOhm bei 190A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,55V bei 60mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
420nC bei 18V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
10100pF bei 850V
Leistung - Max.
20mW
Betriebstemperatur
-40°C bis 175°C (TJ)
Klasse
Automobiltechnik
Qualifizierung
AEC-Q101
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
11-PowerDIP-Modul (2,091", 53,10mm)
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-MDIP-11-1
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