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Marketplace-Produkt
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
F48MR12W2M1HB70BPSA1 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 448-F48MR12W2M1HB70BPSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | F48MR12W2M1HB70BPSA1 |
Beschreibung | LOW POWER EASY |
Standardlieferzeit des Herstellers | 29 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 100A 20mW Chassisbefestigung |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | F48MR12W2M1HB70BPSA1 Modelle |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Hersteller | Infineon Technologies | |
Serie | ||
Verpackung | Tablett | |
Status der Komponente | Aktiv | |
Technologie | Siliziumkarbid (SiC) | |
Konfiguration | 4 N-Kanal (Vollbrücke) | |
FET-Merkmal | - | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | 100A | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 12mOhm bei 100A, 18V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 5,15V bei 40mA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 297nC bei 18V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 8800pF bei 800V | |
Leistung - Max. | 20mW | |
Betriebstemperatur | -40°C bis 175°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Chassisbefestigung | |
Gehäuse / Hülle | Modul | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | - |
Auf Lager: 11
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Menge
Alle Preise in EUR
Tablett
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 155,66000 € | 155,66 € |
| 15 | 135,67333 € | 2.035,10 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 155,66000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 185,23540 € |
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