Name: F411MR12W2M1HPB76BPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-F411MR12W2M1HPB76BPSA1-ND
Price: 173.0736 EUR
Availability: OutOfStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

F411MR12W2M1HPB76BPSA1
DigiKey-Teilenr.	448-F411MR12W2M1HPB76BPSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	F411MR12W2M1HPB76BPSA1
Beschreibung	MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers	8 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 60A Chassisbefestigung
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	F411MR12W2M1HPB76BPSA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Infineon Technologies
Serie	EasyPACK™
Verpackung	Tablett
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	Siliziumkarbid (SiC)
Konfiguration	4 N-Kanal
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200V (1,2kV)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	60A
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	10,8mOhm bei 75A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id	5,15V bei 30mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	223nC bei 18V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	6600pF bei 800V
Leistung - Max.	-
Betriebstemperatur	-40°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle	Modul
Gehäusetyp vom Lieferanten	-
Basis-Produktnummer	F411MR

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