F411MR12W2M1HB70BPSA1
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F411MR12W2M1HB70BPSA1

DigiKey-Teilenr.
448-F411MR12W2M1HB70BPSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
F411MR12W2M1HB70BPSA1
Beschreibung
LOW POWER EASY
Standardlieferzeit des Herstellers
8 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 75A Chassisbefestigung
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
F411MR12W2M1HB70BPSA1 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Hersteller
Infineon Technologies
Serie
Verpackung
Tablett
Status der Komponente
Aktiv
Technologie
Siliziumkarbid (SiC)
Konfiguration
4 N-Kanal
FET-Merkmal
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200V (1,2kV)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
75A
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
14mOhm bei 75A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id
5,15V bei 30mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
223nC bei 18V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
6600pF bei 800V
Leistung - Max.
-
Betriebstemperatur
-40°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle
Modul
Gehäusetyp vom Lieferanten
-
Fragen und Antworten zum Produkt

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