Name: F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1-ND
Price: 118.7144 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1
DigiKey-Teilenr.	448-F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 1200V 85A AG-EASY2B
Standardlieferzeit des Herstellers	8 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 85A (Tj) Chassisbefestigung AG-EASY2B
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Infineon Technologies
Serie	EasyPACK™
Verpackung	Tablett
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	Siliziumkarbid (SiC)
Konfiguration	2 N-Kanal (Halbbrücke)
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200V (1,2kV)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	85A (Tj)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	12mOhm bei 100A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id	5,15V bei 40mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	297nC bei 18V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	8800pF bei 800V
Leistung - Max.	-
Betriebstemperatur	-40°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp	Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle	Modul
Gehäusetyp vom Lieferanten	AG-EASY2B
Basis-Produktnummer	F3L8MR12

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