BCR183E6433HTMA1 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
Verfügbare Ersatzkomponenten:

Parametrisches Äquivalent


Infineon Technologies
Vorrätig: 3.019
Stückpreis : 0,21000 €
Datenblatt

Direkter Ersatz


Diodes Incorporated
Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,04130 €
Datenblatt

Direkter Ersatz


onsemi
Vorrätig: 21.348
Stückpreis : 0,11000 €
Datenblatt

Direkter Ersatz


Nexperia USA Inc.
Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,16000 €
Datenblatt

Direkter Ersatz


Nexperia USA Inc.
Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,16000 €
Datenblatt

Direkter Ersatz


onsemi
Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,15000 €
Datenblatt

Direkter Ersatz


onsemi
Vorrätig: 1.984
Stückpreis : 0,17000 €
Datenblatt

Direkter Ersatz


onsemi
Vorrätig: 9.990
Stückpreis : 0,17000 €
Datenblatt

Ähnlich


Diodes Incorporated
Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,03461 €
Datenblatt

Ähnlich


Diodes Incorporated
Vorrätig: 435.669
Stückpreis : 0,17000 €
Datenblatt

Ähnlich


Diodes Incorporated
Vorrätig: 8.825
Stückpreis : 0,17000 €
Datenblatt

Ähnlich


Diodes Incorporated
Vorrätig: 1.260
Stückpreis : 0,17000 €
Datenblatt

Ähnlich


Diodes Incorporated
Vorrätig: 1.464
Stückpreis : 0,17000 €
Datenblatt

Ähnlich


Rohm Semiconductor
Vorrätig: 5.487
Stückpreis : 0,20000 €
Datenblatt
PG-SOT23
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

BCR183E6433HTMA1

DigiKey-Teilenr.
BCR183E6433HTMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
BCR183E6433HTMA1
Beschreibung
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln mit Vorspannung PNP mit Vorspannung 50 V 100 mA 200 MHz 200 mW Oberflächenmontage PG-SOT23
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Hersteller
Infineon Technologies
Serie
-
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente
Obsolet
Transistor-Typ
PNP mit Vorspannung
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
50 V
Widerstände enthalten
R1 und R2
Widerstand - Basis (R1)
10 kOhms
Widerstand - Emitter-Basis (R2)
10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
30 bei 5mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
300mV bei 500µA, 10mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
100 nA (ICBO)
Frequenz - Übergang
200 MHz
Leistung - Max.
200 mW
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-SOT23
Basis-Produktnummer
Fragen und Antworten zum Produkt

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Obsolet
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