Name: G180C06Y
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-G180C06YTR-ND
Price: 1.4518 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

G180C06Y
DigiKey-Teilenr.	3141-G180C06YTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 3141-G180C06YCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 3141-G180C06YDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Goford Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	G180C06Y
Beschreibung	MOSFET N/P-CH 60V 50A TO252-4
Standardlieferzeit des Herstellers	8 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 60V 50A (Tc), 60A (Tc) 69W (Tc), 115W (Tc) Oberflächenmontage TO-252-4
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Goford Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	N- und P-Kanal, gemeinsamer Drain-Anschluss
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	50A (Tc), 60A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	17mOhm bei 20A, 10V, 23mOhm bei 10A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2V bei 250µA, 4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	39nC bei 4,5V, 62nC bei 4,5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2429pF bei 30V, 4471pF bei 30V
Leistung - Max.	69W (Tc), 115W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	TO-252-5, DPAK (4 Pins + Lasche)
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-252-4