Name: GE12047BCA3
Brand: GE Aerospace
SKU: 4014-GE12047BCA3-ND
Price: 2204.6416 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

GE12047BCA3
DigiKey-Teilenr.	4014-GE12047BCA3-ND
Hersteller	GE Aerospace
Hersteller-Teilenummer	GE12047BCA3
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 1200V 475A
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 475A 1250W Chassisbefestigung Modul
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	GE Aerospace
Serie	SiC Power
Verpackung	Box
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	Siliziumkarbid (SiC)
Konfiguration	2 N-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200V (1,2kV)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	475A
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	4,4mOhm bei 475A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,5V bei 160mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	1248nC bei 18V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	29300pF bei 600V
Leistung - Max.	1250W
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle	Modul
Gehäusetyp vom Lieferanten	Modul
Basis-Produktnummer	GE12047