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Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 120 V 10 A 10MHz 80 W Durchkontaktierung TO-3PF
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2SD998

DigiKey-Teilenr.
5272-2SD998-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
2SD998
Beschreibung
SILICON NPN POWER TRANSISTORS TO
Standardlieferzeit des Herstellers
3 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 120 V 10 A 10MHz 80 W Durchkontaktierung TO-3PF
Datenblatt
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Produkteigenschaften
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Kategorie
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
100µA (ICBO)
Herst.
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
35 bei 5A, 5V
Verpackung
Stange
Leistung - Max.
80 W
Status der Komponente
Aktiv
Frequenz - Übergang
10MHz
Transistor-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
10 A
Montagetyp
Durchkontaktierung
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
120 V
Gehäuse / Hülle
TO-3PF
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
2,5V bei 0,5A, 5A
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-3PF
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
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Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
13,46000 €3,46 €
301,90667 €57,20 €
1201,56275 €187,53 €
5101,31035 €668,28 €
1.0201,21822 €1.242,58 €
2.0101,17796 €2.367,70 €
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis ohne MwSt.:3,46000 €
Stückpreis mit MwSt.:4,11740 €