IGBT Trench Feldstopp 650 V 100 A 350 W Durchkontaktierung TO-247
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IGBT Trench Feldstopp 650 V 100 A 350 W Durchkontaktierung TO-247
Diotec's IGBTs - Insulated Gate Bipolar Transistors

DIW050F065

DigiKey-Teilenr.
4878-DIW050F065-ND
Hersteller
Diotec Semiconductor
Hersteller-Teilenummer
DIW050F065
Beschreibung
IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-247
Standardlieferzeit des Herstellers
8 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
IGBT Trench Feldstopp 650 V 100 A 350 W Durchkontaktierung TO-247
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
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Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Hersteller
Diotec Semiconductor
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
IGBT-Typ
Trench Feldstopp
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
650 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 A
Strom - Kollektor, gepulst (Icm)
300 A
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic
2,2V bei 15V, 50A
Leistung - Max.
350 W
Schaltenergie
3mJ (Ein), 1,1mJ (Aus)
Eingangstyp
Standard
Gate-Ladung
78 nC
Td (on/off) bei 25°C
36ns/125ns
Testbedingung
400V, 50A, 10Ohm, 15V
Umkehrerholungszeit (trr)
38 ns
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
TO-247-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247
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