Name: DI006H03SQ
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 4878-DI006H03SQTR-ND
Price: 2.5585 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

DI006H03SQ
DigiKey-Teilenr.	4878-DI006H03SQTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 4878-DI006H03SQCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 4878-DI006H03SQDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diotec Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	DI006H03SQ
Beschreibung	MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A 8SO
Standardlieferzeit des Herstellers	10 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 30V 1,5W (Ta) Oberflächenmontage 8-SO
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	DI006H03SQ Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V
Hersteller Diotec Semiconductor	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 590pF @ 15V, 631pF @ 15V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Leistung - Max. 1,5W (Ta)
Status der Komponente Aktiv	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Klasse Automobiltechnik
Konfiguration 2 N- und 2 P-Kanal (Vollbrücke)	Qualifizierung AEC-Q101
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 6A (Ta), 4.2A (Ta)	Gehäuse / Hülle 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-SO
Vgs(th) (max.) bei Id 2V bei 250µA