Name: ZXMN2A04DN8TA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMN2A04DN8TR-ND
Price: 2.8084 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

ZXMN2A04DN8TA
DigiKey-Teilenr.	ZXMN2A04DN8TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) ZXMN2A04DN8CT-ND - Gurtabschnitt (CT)
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	ZXMN2A04DN8TA
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SO
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 20V 5,9A 1,8W Oberflächenmontage 8-SO
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Diodes Incorporated
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 N-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal	Logikpegel-Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	5,9A
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	25mOhm bei 5,9A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	700mV bei 250µA (Min)
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	22,1nC bei 5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1880pF bei 10V
Leistung - Max.	1,8W
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-SO
Basis-Produktnummer	ZXMN2