Name: ZXMHC3A01N8TC
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMHC3A01N8DITR-ND
Price: 1.7612 EUR
Availability: InStock

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ZXMHC3A01N8TC
DigiKey-Teilenr.	ZXMHC3A01N8DITR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) ZXMHC3A01N8DICT-ND - Gurtabschnitt (CT) ZXMHC3A01N8DIDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	ZXMHC3A01N8TC
Beschreibung	MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.17A 8SO
Standardlieferzeit des Herstellers	40 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 30V 2,17 A, 1,64 A 870mW Oberflächenmontage 8-SO
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays	Vgs(th) (max.) bei Id 3V bei 250µA
Hersteller Diodes Incorporated	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 3,9nC bei 10V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 190pF bei 25V, 204pF bei 15V
Status der Komponente Aktiv	Leistung - Max. 870mW
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Konfiguration 2 N- und 2 P-Kanal (Vollbrücke)	Montagetyp Oberflächenmontage
FET-Merkmal Logikpegel-Gate	Gehäuse / Hülle 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-SO
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 2,17 A, 1,64 A	Basis-Produktnummer ZXMHC3A01
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 125mOhm bei 2,5A, 10V