Name: ZXMC3A16DN8TC
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMC3A16DN8TCTR-ND
Price: 2.1658 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

ZXMC3A16DN8TC
DigiKey-Teilenr.	ZXMC3A16DN8TCTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) ZXMC3A16DN8TCCT-ND - Gurtabschnitt (CT) ZXMC3A16DN8TCDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	ZXMC3A16DN8TC
Beschreibung	MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8SO
Standardlieferzeit des Herstellers	40 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 30V 4,9 A, 4,1 A 1,25W Oberflächenmontage 8-SO
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays	Vgs(th) (max.) bei Id 1V bei 250µA (Min)
Hersteller Diodes Incorporated	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 17,5nC bei 10V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 796pF bei 25V
Status der Komponente Aktiv	Leistung - Max. 1,25W
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Konfiguration N- und P-Kanal	Montagetyp Oberflächenmontage
FET-Merkmal Logikpegel-Gate	Gehäuse / Hülle 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-SO
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 4,9 A, 4,1 A	Basis-Produktnummer ZXMC3
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 35mOhm bei 9A, 10V