Name: DMTH8030LPDWQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH8030LPDWQ-13TR-ND
Price: 1.5113 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

DMTH8030LPDWQ-13
DigiKey-Teilenr.	31-DMTH8030LPDWQ-13TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 31-DMTH8030LPDWQ-13CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 31-DMTH8030LPDWQ-13DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMTH8030LPDWQ-13
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 80V 28.5A PWRDI50
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 80V 28,5A (Tc) 3,1W (Ta), 41W (Tc) Oberflächenmontage PowerDI5060-8 (Typ UXD)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Diodes Incorporated
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 N-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	28,5A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	26mOhm bei 10A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	10,4nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	631pF bei 40V
Leistung - Max.	3,1W (Ta), 41W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerDI5060-8 (Typ UXD)
Basis-Produktnummer	DMTH8030