Name: DMTH6016LSDQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMTH6016LSDQ-13DITR-ND
Price: 1.4518 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

DMTH6016LSDQ-13
DigiKey-Teilenr.	DMTH6016LSDQ-13DITR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) DMTH6016LSDQ-13DICT-ND - Gurtabschnitt (CT) DMTH6016LSDQ-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMTH6016LSDQ-13
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 60V 7.6A 8SO
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 60V 7,6 A (Ta) 1,4W, 1,9W Oberflächenmontage 8-SO
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Diodes Incorporated
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 N-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	7,6 A (Ta)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	19,5mOhm bei 10A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	17nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	864pF bei 30V
Leistung - Max.	1,4W, 1,9W
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-SO
Basis-Produktnummer	DMTH6016