Name: DMTH6016LFDFWQ-7R
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMTH6016LFDFWQ-7RDITR-ND
Price: 1.2614 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

DMTH6016LFDFWQ-7R
DigiKey-Teilenr.	DMTH6016LFDFWQ-7RDITR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) DMTH6016LFDFWQ-7RDICT-ND - Gurtabschnitt (CT) DMTH6016LFDFWQ-7RDIDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMTH6016LFDFWQ-7R
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 9.4A 6UDFN
Standardlieferzeit des Herstellers	24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 9,4 A (Ta) 1,06W (Ta) Oberflächenmontage U-DFN2020-6 (SWP) (Typ F)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	DMTH6016LFDFWQ-7R Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Diodes Incorporated
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	9,4 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	18mOhm bei 10A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	15.3 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	925 pF @ 30 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	1,06W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	U-DFN2020-6 (SWP) (Typ F)
Gehäuse / Hülle	6-UDFN mit freiliegendem Pad
Basis-Produktnummer	DMTH6016