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Diodes Incorporated
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Stückpreis : 2,00000 €
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Parametrisches Äquivalent


Diodes Incorporated
Vorrätig: 3.024
Stückpreis : 1,63000 €
Datenblatt

Parametrisches Äquivalent


Diodes Incorporated
Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,37898 €
Datenblatt
MOSFETs - Arrays 60V 13,1 A (Ta), 47,6 A (Tc) 2,8W (Ta), 37,5W (Tc) Oberflächenmontage PowerDI5060-8 (Typ UXD)
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DMTH6010LPDW-13

DigiKey-Teilenr.
31-DMTH6010LPDW-13TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
DMTH6010LPDW-13
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 13.1A PWRDI50
Standardlieferzeit des Herstellers
40 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 60V 13,1 A (Ta), 47,6 A (Tc) 2,8W (Ta), 37,5W (Tc) Oberflächenmontage PowerDI5060-8 (Typ UXD)
Datenblatt
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Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
3V bei 250µA
Hersteller
Diodes Incorporated
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
40,2nC bei 10V
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2615pF bei 30V
Status der Komponente
Aktiv
Leistung - Max.
2,8W (Ta), 37,5W (Tc)
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Konfiguration
2 N-Kanal (zweifach)
Montagetyp
Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Gehäuse / Hülle
8-PowerTDFN
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
13,1 A (Ta), 47,6 A (Tc)
Gehäusetyp vom Lieferanten
PowerDI5060-8 (Typ UXD)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
11mOhm bei 20A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (3)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
DMTH6010LPD-13Diodes Incorporated3.007DMTH6010LPD-13DICT-ND2,00000 €Parametrisches Äquivalent
DMTH6010LPDQ-13Diodes Incorporated3.024DMTH6010LPDQ-13DICT-ND1,63000 €Parametrisches Äquivalent
DMTH6010LPDWQ-13Diodes Incorporated031-DMTH6010LPDWQ-13TR-ND0,37898 €Parametrisches Äquivalent
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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Menge Stückpreis Gesamtpreis
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