Name: DMHT10H032LFJ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMHT10H032LFJ-13TR-ND
Price: 0.53034 EUR
Availability: OutOfStock

MOSFETs - Arrays 100V 6 A (Ta) 900mW Oberflächenmontage V-DFN5045-12 (Typ C)

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DMHT10H032LFJ-13
DigiKey-Teilenr.	31-DMHT10H032LFJ-13TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMHT10H032LFJ-13
Beschreibung	MOSFET 4N-CH 100V 6A 12VDFN
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 100V 6 A (Ta) 900mW Oberflächenmontage V-DFN5045-12 (Typ C)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays	Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 250µA
Hersteller Diodes Incorporated	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 11,9nC bei 10V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 683pF bei 50V
Status der Komponente Aktiv	Leistung - Max. 900mW
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Konfiguration 4 N-Kanal (Vollbrücke)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V	Gehäuse / Hülle 12-PowerVDFN
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 6 A (Ta)	Gehäusetyp vom Lieferanten V-DFN5045-12 (Typ C)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 33mOhm bei 6A, 10V	Basis-Produktnummer DMHT10

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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)