Name: DMG6601LVT-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMG6601LVT-7DITR-ND
Price: 0.4284 EUR
Availability: InStock

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DMG6601LVT-7
DigiKey-Teilenr.	DMG6601LVT-7DITR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) DMG6601LVT-7DICT-ND - Gurtabschnitt (CT) DMG6601LVT-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMG6601LVT-7
Beschreibung	MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 30V 3,8 A, 2,5 A 850mW Oberflächenmontage TSOT-26
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	DMG6601LVT-7 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Diodes Incorporated
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	N- und P-Kanal
FET-Merkmal	Logikpegel-Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	3,8 A, 2,5 A
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	55mOhm bei 3,4A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	1,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	12,3nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	422pF bei 15V
Leistung - Max.	850mW
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6
Gehäusetyp vom Lieferanten	TSOT-26
Basis-Produktnummer	DMG6601

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