Name: DMC1018UPDWQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMC1018UPDWQ-13TR-ND
Price: 1.1067 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

DMC1018UPDWQ-13
DigiKey-Teilenr.	31-DMC1018UPDWQ-13TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 31-DMC1018UPDWQ-13CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 31-DMC1018UPDWQ-13DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMC1018UPDWQ-13
Beschreibung	MOSFET N/P-CH 12V 10A PWRDI50
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 12V, 20V 10A (Ta), 31,3A (Ta), 6,7A (Ta), 20,9A (Tc) 2,6W (Ta), 25W (Tc) Oberflächenmontage PowerDI5060-8 (Typ UXD)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	DMC1018UPDWQ-13 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Diodes Incorporated
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	N- und P-Kanal komplementär
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	12V, 20V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	10A (Ta), 31,3A (Ta), 6,7A (Ta), 20,9A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	17mOhm bei 11,8A, 4,5V, 38mOhm bei 8,9A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	1,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	30,4nC bei 8V, 19nC bei 8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1525pF bei 6V, 866pF bei 6V
Leistung - Max.	2,6W (Ta), 25W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerDI5060-8 (Typ UXD)
Basis-Produktnummer	DMC1018