Vishay / Siliconix

MaxSiC™-MOSFET

MOSFETs von Vishay ermöglichen höhere Leistung und überragenden Wirkungsgrad für Anwendungen mit hohem Stromverbrauch

Abbildung: MaxSiC™-MOSFET von Vishay SiliconixDie MaxSiCTM-Siliziumkarbid-MOSFETs (SiC) von Vishay zeichnen sich durch eine proprietäre Technologie aus, die einen effizienten Kompromiss zwischen Durchlasswiderstand und Schaltleistung bietet und gleichzeitig ein robustes Bauelement mit geringer parasitärer Kapazität, verbesserter Kurzschlussfestigkeit (SCWT), erhöhter Störfestigkeit und einem konkurrenzfähigen elektrischen Feld des Gate-Oxids darstellt.

Diese SiC-MOSFETs bieten eine wettbewerbsfähige Leistungskennzahl, um den Marktanforderungen in wachsenden Anwendungen wie industriellen Motorantriebswechselrichtern, Photovoltaik-(PV)-Energieumwandlungs- und -speichersystemen, Onboard-Ladegeräten, Ladestationen, Servern (Rechenzentren) und unterbrechungsfreien Stromversorgungen (USV) gerecht zu werden.

Merkmale/Funktionen
  • Hohe Schaltgeschwindigkeit
  • 3 μs Kurzschlusswiderstandszeit
  • 1200 V Drain-Source-Spannung
  • 139 W maximale Verlustleistung (TC=+25 °C)
  • 29 A kontinuierlicher Ableitstrom (TC=+25 °C)
  • Sperrschichttemperaturbereich von -55 °C bis +150 °C
  • Bleifrei und halogenfrei
  • Erhältlich in einem TO-247-3L-Gehäuse
  • RoHS-konform
Anwendungen/Zielmärkte
  • Ladegeräte
  • Antriebe für Hilfsmotoren
  • DC/DC-Wandler

MaxSiC MOSFETs

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
SILICON CARBIDE MOSFETMXP120A250FW-GE3SILICON CARBIDE MOSFET0 - Sofort$3.05Details anzeigen
SILICON CARBIDE MOSFETMXP120A250FL-GE3SILICON CARBIDE MOSFET0 - Sofort$3.65Details anzeigen
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Veröffentlicht: 2024-09-03

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