Vishay / Siliconix

Gen-V-TrenchFET-MOSFETs

Die 80-V-, 100-V- und 150-V-MOSFETs von Vishay zeichnen sich durch einen hohen Gütefaktor (Figure of Merit, FOM) mit äußerst niedrigem RDS und geringer Qg aus

Abbildung: Gen-V-TrenchFET®-MOSFETs von Vishay SiliconixVishay bietet TrenchFET®-Leistungs-MOSFETs der 5. Generation mit einer höheren Leistungsdichte und einen höheren Wirkungsgrad sowohl für isolierte als auch für nicht isolierte Topologien. Der extrem niedrige Durchlasswiderstand, der Hochtemperaturbetrieb bis zu +175 °C und das platzsparende PowerPAK®-Gehäuse von Vishay tragen dazu bei, die Zuverlässigkeit auf Leiterplattenebene mit drahtloser Bondkonstruktion zu fördern. Diese Serie ist zu 100 % RG- und UIS-geprüft, RoHS-konform und halogenfrei.

Merkmale/Funktionen
  • Hoher Gütefaktor (Figure of Merit, FOM) mit äußerst niedrigem RDS und geringer Qg
  • FOM optimiert für niedrigsten RDS und geringste QOSS
Anwendungen/Zielmärkte
  • Synchrongleichrichtung
  • Primärseitige Schalter
  • DC/DC-Wandler
  • Solar-Mikroinverter
  • Schalter für Motorantriebe
  • Batterie- und Lastschalter
  • Industrielle Motorantriebe
  • Batterieladegeräte

Gen V TrenchFET MOSFETs

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungDrain-Source-Spannung (Vdss)Verfügbare MengePreisDetails anzeigen
N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFETSIDR5802EP-T1-RE3N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET80 V0 - Sofort$3.53Details anzeigen
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWESIR5802DP-T1-RE3N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE80 V5633 - Sofort$2.59Details anzeigen
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POWSIR5102DP-T1-RE3N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW100 V3960 - Sofort$3.81Details anzeigen
N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFESIDR5102EP-T1-RE3N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE100 V4370 - Sofort$3.63Details anzeigen
N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POWSIR578DP-T1-RE3N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW150 V3801 - Sofort$3.34Details anzeigen
N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFESIDR578EP-T1-RE3N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE150 V5622 - Sofort$3.88Details anzeigen
Veröffentlicht: 2023-10-16

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