1.200-V-SiC-Schottky-Dioden der Generation 3

16 1.200-V-Siliziumkarbid-Schottky-Dioden der Generation 3 von Vishay verfügen über ein MPS-Design (merged PIN Schottky). Sie kombinieren eine hohe Robustheit gegenüber Stoßströmen, mit niedrigen Werten bei Durchlassspannungsabfall, kapazitiver Ladung und Sperrstrom, und erhöhen den Wirkungsgrad und die Zuverlässigkeit von Schaltnetzteilen. Die MPS-Struktur, die eine mittels Laser-Glühtechnik gedünnte Rückseite aufweist, reduziert den Durchlassspannungsabfall der Dioden. Der niedrige typische Sperrstrom der Komponente verringert Leitungsverluste und sorgt damit für einen hohen Systemwirkungsgrad bei leichter Last und Leerlauf. Um den Wirkungsgrad weiter zu verbessern, haben die Dioden der Generation 3 im Gegensatz zu ultraschnellen Dioden praktisch keine Erholungsschwelle.

Diese Dioden bieten AC/DC-PFC- und DC/DC-Ultrahochfrequenz-Gleichrichtung am Ausgang in FBPS- und LLC-Wandlern für Anwendungen wie Solarstromwechselrichter, Energiespeichersysteme, industrielle Antriebe und Werkzeuge sowie Rechenzentren.