Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Niederspannungs-MOSFETs UMOS 11

Niederspannungs-MOSFETs UMOS11 von Toshiba bieten effizientes Schalten, geringere Verluste und intelligenteres Design

Abbildung: Niederspannungs-MOSFETs UMOS11 von ToshibaDer Niederspannungsprozess des UMOS 11 von Toshiba wurde entwickelt, um den wachsenden Anforderungen an Energieeffizienz, kompaktes Design und zuverlässige Schaltleistung gerecht zu werden.

Der UMOS 11 basiert auf einer verbesserten Trench-Struktur und bietet einen niedrigeren RDS(on), eine geringere Qoss und QRR sowie ein insgesamt optimiertes Schaltverhalten, wodurch er sich hervorragend für Anwendungen eignet, die von DC/DC-Wandlern und Motorantrieben bis hin zu Servernetzteilen und anderen Schaltstromversorgungen reichen.

Dieser Prozess deckt eine Vielzahl von Spannungen von 40 V bis 100 V und Gehäusen mit Größen von 5 mm x 6 mm und 3 mm x 3 mm ab.

Merkmale/Funktionen
  • Niedrigster Einschaltwiderstand der Familie beträgt 0,52 mΩ (max.) (VGS = 10 V)
  • Niedriger RDS(ON) x QOSS und niedriger RDS(ON) x QRR
  • Hoher Wirkungsgrad in Schaltstromversorgungen
  • Enge Schwellenspannung für zuverlässigen Betrieb
  • Integrierte Hochgeschwindigkeitsdiode bietet verbesserten Sperrverzögerungsverlust
  • Hochtemperaturbetrieb bei bis zu +175 °C
Anwendungen/Zielmärkte
  • DC/DC-Wandler
  • Schaltnetzteile (Server in Rechenzentren, Kommunikationsgeräte usw.)
  • Motorsteuerungen
  • Lastschaltanwendungen
Ressourcen

Abbildung: Niederspannungs-MOSFETs UMOS11 von Toshiba

UMOS 11 Low Voltage MOSFETs

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
N-CH MOSFET, 100 V, 0.0027 OHM@1TPH2R70AR5,LQN-CH MOSFET, 100 V, 0.0027 OHM@18965 - Sofort$1.34Details anzeigen
Veröffentlicht: 2025-09-26