Smart-Watch-Lösung
Die Smart-Watch-Lösungen von Toshiba bieten mehr Leistung in einem kleineren Gehäuse
Die Entwicklung von Leistungselektronik für Smart Watches und andere Wearables kann aufgrund der Erwartungen des heutigen Verbrauchers eine Herausforderung darstellen: mehr Funktionalität, längere Batterielebensdauer und geringere Größe. Die diskreten Komponenten von Toshiba erhöhen den verfügbaren Platz auf der Leiterplatte und reduzieren den passiven Stromverbrauch, um eine lange Batterielebensdauer zu gewährleisten. Toshiba bietet neben funktionsreichen ICs wie LDO-Reglern, Lastschaltern und dem intelligenten eFuse-IC auch winzige MOSFETs, Dioden und Transistoren an.
Lösungen für Stromversorgungsschaltkreise
Drahtloses oder kontaktbehaftetes Aufladen stellt das Design vor Herausforderungen bei der Steuerung und dem Schutz vor der Außenwelt, unabhängig davon, ob es sich um einen Kurzschlusszustand oder EMI handelt.
Lastschalter oder eFuse-ICs von Toshiba können zusätzlich zum Überspannungs- und Überstromschutz eine präzise Steuerung bieten. Diese ICs werden durch verschiedene FETs und Dioden unterstützt.
Über den PMIC hinaus gibt es Anforderungen an LDOs und Schalter, die für Schienen ausgelegt sind, die zu empfindlichen Sensoren, Chipsätzen und anderen Modulen führen. Die Leistung wird durch die Implementierung von Lastschaltern und LDOs mit niedriger IQ, die in winzigen Wafer-Level-Chip-Scale-Gehäusen geliefert werden, maximiert.
Schnittstellen-Schaltungslösungen
Eine weitere Überlegung ist die Schnittstellenseite eines jeden Designs. Dabei handelt es sich um das Subsystem, das die Sensorausgänge verwaltet und Anzeigen oder drahtlose Module steuert.
Sensoren werden immer kleiner und benötigen daher eine extrem niedrige Offsetspannung und rauscharme Operationsverstärker, um das aufgezeichnete Signal auf ein lesbares Niveau zu bringen. Toshiba bietet Operationsverstärker an, die diese beiden Anforderungen erfüllen.
Darüber hinaus bietet Toshiba Hochgeschwindigkeits- und Hochstrom-ESD-Schutzdioden an, um unerwünschte statische Stöße zu vermeiden, die bei der Entwicklung von Wearables und anderen Handheld-Geräten ein Problem darstellen. Dies wird mit minimaler Einfügungsdämpfung erreicht, wodurch Geschwindigkeiten von bis zu 10 Gbit/s möglich sind.
Link zu den Anwendungsdetails:
https://toshiba.semicon-storage.com/us/semiconductor/application/smart-watch.html
Hauptvorteile
- Breites Portfolio von Produkten
- Reduziert den Platzbedarf auf der Leiterplatte bei kleinerem Gehäuse
- Erhöht die Batterielebensdauer durch Minimierung des Ruhestroms (IQ)
- Bietet Anwendungshinweise und andere Materialien, die bei der Entwicklung helfen
- Hilft bei neuen Schutznormen (IEC-62368-1) mit eFuse
Unterstützende Komponenten
MOSFETs
| Abbildung | Hersteller-Teilenummer | Beschreibung | Drain-Source-Spannung (Vdss) | Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | Vgs (Max.) | Verfügbare Menge | Preis | Details anzeigen | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ![]() | SSM3J35CTC,L3F | MOSFET P-CH 20V 250MA CST3C | 20 V | 1,4Ohm bei 150mA, 4,5V | ±10V | 19029 - Sofort | $0.23 | Details anzeigen |
![]() | ![]() | SSM3J56ACT,L3F | MOSFET P-CH 20V 1.4A CST3 | 20 V | 390mOhm bei 800mA, 4,5V | 1.6 nC @ 4.5 V | 26741 - Sofort | $0.35 | Details anzeigen |
![]() | ![]() | SSM3K35CTC,L3F | MOSFET N-CH 20V 250MA CST3C | 20 V | 1,1Ohm bei 150mA, 4,5V | 0.34 nC @ 4.5 V | 40552 - Sofort | $0.22 | Details anzeigen |
![]() | ![]() | SSM3K56ACT,L3F | MOSFET N-CH 20V 1.4A CST3 | 20 V | 235mOhm bei 800mA, 4,5V | 1 nC @ 4.5 V | 80000 - Sofort | $0.33 | Details anzeigen |
Load Switch IC
| Abbildung | Hersteller-Teilenummer | Beschreibung | Schnittstelle | Spannung - Last | Spannung - Versorgung (Vcc/Vdd) | Verfügbare Menge | Preis | Details anzeigen | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ![]() | TCK106AG,LF | IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 4WCSPD | Ein/Aus | 1,1V bis 5,5V | Nicht erforderlich | 10722 - Sofort | $0.25 | Details anzeigen |
![]() | ![]() | TCK107AG,LF | IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 4WCSPD | Ein/Aus | 1,1V bis 5,5V | Nicht erforderlich | 153344 - Sofort | $0.25 | Details anzeigen |
![]() | ![]() | TCK108AG,LF | IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 4WCSPD | Ein/Aus | 1,1V bis 5,5V | Nicht erforderlich | 11012 - Sofort | $0.25 | Details anzeigen |
eFuse IC
| Abbildung | Hersteller-Teilenummer | Beschreibung | Betriebstemperatur | Montagetyp | Gehäuse / Hülle | Verfügbare Menge | Preis | Details anzeigen | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ![]() | TCKE805NA,RF | IC ELECTRONIC FUSE 10WSON | -40°C bis 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 10-WFDFN mit freiliegendem Pad | 80 - Sofort | $1.23 | Details anzeigen |
![]() | ![]() | TCKE805NL,RF | IC ELECTRONIC FUSE 10WSON | -40°C bis 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 10-WFDFN mit freiliegendem Pad | 3409 - Sofort | $1.23 | Details anzeigen |
LDO Regulators
| Abbildung | Hersteller-Teilenummer | Beschreibung | Spannungsabfall (Max.) | Strom - Ruhestrom (Iq) | Steuerfunktionen | Verfügbare Menge | Preis | Details anzeigen | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ![]() | TCR3UG12A,LF | IC REG LIN 1.2V 300MA 4-WCSP-F | 0,857V bei 300mA | 580 nA | Aktivieren | 4400 - Sofort | $0.24 | Details anzeigen |
![]() | ![]() | TCR3UG18A,LF | IC REG LIN 1.8V 300MA 4-WCSP-F | 0,457V bei 300mA | 680 nA | Aktivieren | 3197 - Sofort | $0.24 | Details anzeigen |
![]() | ![]() | TCR3UG285A,LF | IC REG LIN 2.85V 300MA 4-WCSPF | 0,327V bei 300mA | 680 nA | Aktivieren | 5000 - Sofort | $0.24 | Details anzeigen |
![]() | ![]() | TCR3UG30A,LF | IC REG LINEAR 3V 300MA 4-WCSP-F | 0,273V bei 300mA | 680 nA | Aktivieren | 13333 - Sofort | $0.24 | Details anzeigen |
![]() | ![]() | TCR3UG33A,LF | IC REG LIN 3.3V 300MA 4-WCSP-F | 0,273V bei 300mA | 680 nA | Aktivieren | 14610 - Sofort | $0.24 | Details anzeigen |
FET Driver ICs
| Abbildung | Hersteller-Teilenummer | Beschreibung | Gattertyp | Logikspannung - VIL, VIH | Strom - Spitze, Ausgang (Quelle, Senke) | Verfügbare Menge | Preis | Details anzeigen | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ![]() | TCK401G,LF | IC GATE DRVR HIGH-SIDE 6WCSPE | - | 0,4V, 1,6V | - | 57724 - Sofort | $0.45 | Details anzeigen |
![]() | ![]() | TCK402G,LF | IC GATE DRVR LOW-SIDE 6WCSPE | - | 0,4V, 1,6V | - | 4856 - Sofort | $0.45 | Details anzeigen |
ESD Diodes for Power Line Protection
| Abbildung | Hersteller-Teilenummer | Beschreibung | Strom - Spitzenimpuls (10/1000µs) | Leistung - Spitzenimpulse | Netzleitungsschutz | Verfügbare Menge | Preis | Details anzeigen | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ![]() | DF2B7BSL,L3F | TVS DIODE 5.5VWM 16VC SL2 | 7,3A (8/20µs) | 115W | Nein | 0 - Sofort | $0.10 | Details anzeigen |
![]() | ![]() | DF2S14P2CTC,L3F | TVS DIODE 12.6VWM CST2C | 50A | - | Nein | 22049 - Sofort | $0.26 | Details anzeigen |
Schottky Barrier Diodes
| Abbildung | Hersteller-Teilenummer | Beschreibung | Geschwindigkeit | Strom - Sperrleckstrom bei Vr | Kapazität bei Vr, F | Verfügbare Menge | Preis | Details anzeigen | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ![]() | CTS520,L3F | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA CST2 | Kleines Signal =< 200mA (Io), jede Geschwindigkeit | 5 µA @ 30 V | 16pF bei 0V, 1MHz | 0 - Sofort | $0.12 | Details anzeigen |
![]() | ![]() | CTS521,L3F | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA CST2 | Kleines Signal =< 200mA (Io), jede Geschwindigkeit | 30 µA @ 30 V | 25pF bei 0V, 1MHz | 8941 - Sofort | $0.10 | Details anzeigen |
![]() | ![]() | DSF01S30SL,L3F | DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SL2 | Kleines Signal =< 200mA (Io), jede Geschwindigkeit | 50 µA @ 30 V | 9,02pF bei 2V, 1MHz | 3917 - Sofort | $0.23 | Details anzeigen |
![]() | ![]() | DSR01S30SL,L3F | DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SL2 | Kleines Signal =< 200mA (Io), jede Geschwindigkeit | 700 nA @ 30 V | 8,2pF bei 0V, 1MHz | 25438 - Sofort | $0.19 | Details anzeigen |
High Speed ESD Diodes
| Abbildung | Hersteller-Teilenummer | Beschreibung | Strom - Spitzenimpuls (10/1000µs) | Leistung - Spitzenimpulse | Netzleitungsschutz | Verfügbare Menge | Preis | Details anzeigen | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ![]() | DF2B5M4ASL,L3F | TVS DIODE 3.6VWM 15VC SL2 | 2 A (8/20µs) | 30W | Nein | 1175 - Sofort | $0.20 | Details anzeigen |
![]() | ![]() | DF2B6M4ASL,L3F | TVS DIODE 5.5VWM 15VC SL2 | 2 A (8/20µs) | 30W | Nein | 9019 - Sofort | $0.19 | Details anzeigen |
![]() | ![]() | DF2B26M4SL,L3F | TVS DIODE 24VWM 31.5VC SL2 | 500mA (8/20µs) | 19W | Nein | 48400 - Sofort | $0.15 | Details anzeigen |
![]() | ![]() | DF2B5M5SL,L3F | TVS DIODE 3.3VWM 25VC SL2 | 2,5 A (8/20µs) | 37W | Nein | 0 - Sofort | $0.29 | Details anzeigen |
![]() | ![]() | DF2B6M5SL,L3F | TVS DIODE 5VWM 26.5VC SL2 | 2,5 A (8/20µs) | 37W | Nein | 273 - Sofort | $0.18 | Details anzeigen |
Operational Amplifiers
| Abbildung | Hersteller-Teilenummer | Beschreibung | Ausgangstyp | Anstiegsgeschwindigkeit | Strom - Eingang, Bias | Verfügbare Menge | Preis | Details anzeigen | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ![]() | TC75S67TU,LF | IC CMOS 1 CIRCUIT UFV | - | 1V/µs | 1 pA | 9934 - Sofort | $0.24 | Details anzeigen |
















