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Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT) STGWA40IH65DF der IH-Serie
Der 650-V-IGBT STGWA40IH65DF der IH-Serie von STMicroelectronics wurde entwickelt, um die Effizienz für resonante und weichschaltende Anwendungen zu maximieren
Die IH-Serie weich schaltender 650-V-IGBT von STMicroelectronics wurde unter Verwendung einer fortschrittlichen, proprietären Trench-Gate-Feldstopp-Struktur entwickelt, deren Leistung sowohl hinsichtlich der Leitungsstärke als auch der Schaltverluste für die Soft-Kommutierung optimiert ist. Eine Freilaufdiode mit einer niedrigen Durchlassspannung ist enthalten. Das Ergebnis ist ein Produkt, das speziell darauf ausgelegt ist, die Effizienz für alle resonanten und weichschaltenden Anwendungen zu maximieren.
Merkmale
- Nur für Soft-Kommutierung ausgelegt
- Maximale Sperrschichttemperatur: Tj = 175 °C
- VCE(sat) = 1,5 V (typ.) bei IC = 40 A
- Minimierter Deaktivierungsstrom
- Enge Parameterverteilung
- Niedriger Wärmewiderstand
- Freilaufende Diode mit niedrigem Spannungsabfall
- Positiver VCE(on)-Temperaturkoeffizient
STGWA40IH65DF Insulated-Gate Bipolar Transistor (IGBT) IH Series
| Abbildung | Hersteller-Teilenummer | Beschreibung | Strom - Kollektor, gepulst (Icm) | Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic | Leistung - Max. | Verfügbare Menge | Preis | Details anzeigen | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | STGWA40IH65DF | IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247 | 120 A | 2V bei 15V, 40A | 238 W | 0 - Sofort | $3.64 | Details anzeigen |
Veröffentlicht: 2019-05-10
Deutschland