Galvanisch getrennter 4-A-Einkanal-Gate-Treiber STGAP2SICSN für SiC-MOSFETs

Der galvanisch getrennte Einkanal-Gate-Treiber STGAP2SICSN von STMicroelectronics für Siliziumkarbid-Leistungstransistoren ist in einem SO8-Standardgehäuse untergebracht. Er bietet einen geeigneten galvanisch getrennten Treiber für Siliziumkarbid auf kleinstem Raum, der die neueste Technologie zur galvanischen Trennung nutzt, was die Angabe einer Überspannungsfestigkeit von 4,8 kV ermöglicht. Der Gate-Treiber zeichnet sich durch eine Strombelastbarkeit von 4 A aus und kann eine Hochspannungsschiene von bis zu 1700 V aufrechterhalten. Die dV/dT-Spannungsfestigkeit beträgt ±100 V/ns über den gesamten Temperaturbereich und gewährleistet eine bemerkenswerte Robustheit gegenüber Überspannungen.

Die Komponente ist in zwei Konfigurationen erhältlich. Sie bieten hohe Flexibilität für die jeweilige Projektstrategie und einen optimierten Materialaufwand bei den externen Komponenten. Die erste Option besitzt separate Ausgangsstifte, um das unabhängige Ein- und Ausschalten mithilfe unabhängiger Widerstände zu optimieren. Die zweite Konfiguration mit einem einzelnen Ausgangspin und Miller-Klemmfunktion vermeidet Gate-Spitzen bei schnellen Kommutierungen in Halbbrückentopologien.

Die CMOS-/TTL-kompatiblen Logikeingänge bis minimal 3,3 V gewährleisten eine unkomplizierte Anbindung an Mikrocontroller und DSP-Peripherien. Mit dem Treiber STGAP2SICSN können Benutzer hochzuverlässige Systeme entwickeln dank integrierter Schutzfunktionen wie Unterspannungsabschaltung mit optimiertem Wert für SiC-MOSFETs und thermischer Abschaltung, die beide Treiberausgänge auf Low schaltet, um eine hohe Impedanz in der Halbbrücke zu erzeugen, wenn die Sperrschichttemperatur einen bestimmten Schwellenwert erreicht.

Zur Reduzierung des Leerlauf-Stromverbrauchs steht ein Standby-Modus zur Verfügung. Der STGAP2SICSN eignet sich für Energieumwandlungs- und Industrieanwendungen im mittleren und hohen Leistungsbereich. Der STGAP2SICSN wird in einem SO8N-Gehäuse untergebracht.