Zweikanaliger Gate-Treiber STGAP2SICD mit galvanischer Trennung bis 6 kV für SiC-FETs

Der STGAP2SiCD von STMicroelectronics ist ein zweikanaliger Gate-Treiber mit einer galvanischen Trennung bis 6 kV in einem breiten SO-36-Gehäuse, der für die Ansteuerung von SiC-Leistungstransistoren geeignet ist. Er bietet eine galvanische Trennung zwischen den einzelnen Gate-Ansteuerkanälen und den Schaltkreisen für die Niederspannungssteuerung und die Schnittstelle. Der STGAP2SiCD verfügt über einen kompletten Satz von Schutzfunktionen und erlaubt ein Höchstmaß an Flexibilität bei der Ansteuerung, wobei die neueste Technologie zur galvanischen Trennung bis 6 kV genutzt wird.

Der Gate-Treiber zeichnet sich durch einen Nennstrom von 4 A und Rail-to-Rail-Ausgänge aus, wodurch er sich für Anwendungen im mittleren und hohen Leistungsbereich eignet, wie z. B. Leistungswandlung, Industrieantriebe und Inverter, und kann eine Hochspannungsschiene bis 1200 V aufrechterhalten.

Die dV/dT-Transientenimmunität beträgt ±100 V/ns über den gesamten Temperaturbereich und gewährleistet eine bemerkenswerte Robustheit gegen Spannungstransienten. Die Komponente verfügt über eine Option mit separater Senke und Quelle für eine einfache Konfiguration der Gate-Ansteuerung und eine Miller-Klemmunktion, die Gate-Spitzen bei schnellen Kommutierungen in Halbbrückentopologien verhindert. Die CMOS-/TTL-kompatiblen Logikeingänge bis minimal 3,3 V gewährleisten eine unkomplizierte Anbindung an Mikrocontroller und DSP-Peripherien.

Die Komponente verfügt über eine spezielle Unterspannungsabschaltfunktion für SiC und eine Funktion zur thermischen Abschaltung, um eine einfache Konstruktion hochzuverlässiger Systeme zu ermöglichen. In Halbbrücken-Topologien verhindert die Sperrfunktion, dass die Ausgänge gleichzeitig einen hohen Pegel aufweisen, wodurch Durchschläge bei Eingangsbefehlen mit falscher Logik vermieden werden. Ein spezielles Konfigurationspin kann die Sperrfunktion deaktivieren, um einen unabhängigen und parallelen Betrieb der beiden Kanäle zu ermöglichen. Die Laufzeitverzögerung vom Ein- zum Ausgang beträgt maximal 75 ns, was eine präzise PWM-Steuerung ermöglicht. Zur Reduzierung des Leerlauf-Stromverbrauchs steht ein Standby-Modus zur Verfügung.