Einkanal-Gate-Treiber STGAP2GS/STGAP2GSN

STGAP2GS und STGAP2GSN von STMicroelectronics sind galvanisch getrennte Einkanal-Gate-Treiber für GaN-Leistungstransistoren im Anreichungsmodus in SO8-Wide- und SO8-Standard-Gehäusen. Sie bieten den geeigneten isolierten Treiber für GaN in einem kleinen Footprint und nutzen die neueste Technologie zur galvanischen Trennung. Der Gate-Treiber zeichnet sich durch eine Strombelastbarkeit von 2 A (Source) bzw. 3 A (Sink) und Rail-to-Rail-Ausgänge aus, wodurch sich der Baustein für Anwendungen mit mittlerer und hoher Leistung, wie z. B. Leistungsumwandlung und Motortreiber-Umrichter in industriellen Anwendungen, eignet.

Die dV/dT-Transientenimmunität beträgt ±100 V/ns über den gesamten Temperaturbereich und gewährleistet eine bemerkenswerte Robustheit gegen Spannungstransienten. Die Komponente ist zur einfachen Gate-Ansteuerung mit Optionen zur Sink-/Source-Trennung erhältlich, um das unabhängige Ein- und Ausschalten unter Verwendung unabhängiger Widerstände zu optimieren.

Der Baustein integriert Schutzfunktionen wie eine thermische Abschaltung, die den Ausgang des Treibers auf „Low“ schaltet, wenn die Sperrschichttemperatur einen bestimmten Schwellenwert erreicht, und einer Unterspannungsabschaltung mit einem optimierten Pegel für GaN-FETs im Anreicherungsmodus, was ein einfaches Design für Systeme mit hohem Wirkungsgrad und hoher Zuverlässigkeit ermöglicht. Zwei Eingangspins ermöglichen die Auswahl der Polaritätsregelung für das Signal und die Implementierung eines HW-Sperrschutzes zur Vermeidung von Querströmen.

Die Laufzeitverzögerung vom Ein- zum Ausgang beträgt maximal 45 ns, was eine hochpräzise PWM-Steuerung ermöglicht. Zur Reduzierung des Leerlauf-Stromverbrauchs steht ein Standby-Modus zur Verfügung. Die CMOS-/TTL-kompatiblen Logikeingänge bis minimal 3,3 V gewährleisten eine unkomplizierte Anbindung an Mikrocontroller und DSP-Peripherien.