Hochspannungsbaustein L6384E

Halbbrücken-Hochspannungstreiber von STMicroelectronics

Bild des Hochspannungsbausteins L6384E von STMicroelectronicsDer L6384E von STMicroelectronics ist ein Hochspannungsbaustein, hergestellt mit der BCD-"OFF-LINE"-Technologie. Er verfügt über eine Halbbrücken-Treiberstruktur, die N-Kanal-Leistungs-MOS oder IGBTs treiben kann. Der High-Side-Abschnitt (Floating) ist aktiviert, um mit Spannungsschienen bis 600 V zu arbeiten. Die Logik-Eingänge sind CMOS/TTL-kompatibel für eine einfache Verbindung mit Steuerungsgeräten. Abgestimmte Verzögerungen zwischen Low- und High-Side-Abschnitten vereinfachen den Hochfrequenzbetrieb. Totzeiteinstellungen lassen sich leicht mittels eines externen Widerstandes setzen.

Merkmale
  • Hochspannungsschiene bis zu 600 V
  • dV/dt-Immunität ±50 V/ns im vollen Temperaturbereich
  • Treiber-Strombelastbarkeit:
    • 400 mA Quelle
    • 650 mA Senke
  • Schaltzeiten 50/30 ns steigend/fallend mit 1 nF Last
  • CMOS/TTL-Schmitt-Trigger-Eingänge mit Hysterese und Pull-down
  • Ausschalt-Eingang
  • Totzeit-Einstellung
  • Abschaltung bei Unterspannung
  • Integrierte Bootstrap-Diode
  • Klemmung auf VCC
  • SO-8/DIP-8-Gehäuse

L6384E High Voltage Device

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOL6384ED013TRIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO2845 - Sofort$1.33Details anzeigen
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIPL6384EIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP0 - SofortSee Page for PricingDetails anzeigen
Veröffentlicht: 2013-07-02