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Isolierter Gate-Treiber und GaN-FET-Referenzdesigns

Silicon Labs und EPC arbeiten zusammen, um Vorgang zur Evaluierung ihrer eGaN-FET zu vereinfachen

Abbildung: Isolierte Gate-Treiber von Silicon Labs/EPC sowie GaN-FET-ReferenzdesignsDie Isolationstechnologie von Silicon Labs vereinfacht das Design und bietet die besten Timing-Eigenschaften, die höchste Zuverlässigkeit und die niedrigsten Emissionen der Branche. Kunden verlassen sich darauf, dass ihre Lösungen eine höhere Systemeffizienz, eine höhere Störfestigkeit, eine bessere Sicherheit und einen geringeren Footprint erreichen. Diese Referenzdesigns wurden entwickelt, um eine schnelle Anpassung beim Kunden und kürzere Markteinführungszeiten zu ermöglichen.

Die Partnerschaft von Silicon Labs und EPC ermöglicht Entwicklern die Nutzung von Referenzdesigns, die den Vorgang zur Evaluierung von eGAN-FET vereinfachen. Diese Referenzdesigns verfügen über eine Halbbrückentopologie mit integrierten Gate-Treibern und umfassen alle kritischen Komponenten und das Layout für eine optimale Schaltleistung. Die meisten Platinen können verwendet werden, um auf einfache Weise einen funktionierenden Prototyp zu entwickeln, und erfordern lediglich das Hinzufügen des LC-Ausgangsfilters und der Abschlusskomponenten.

Hauptmerkmale
  • Niedrige Latenz: 10 ns typisch
  • Gleichtakt-Transientenimmunität (CMTI): 50 kV/μs typisch
  • UL-, CSA- und VDE-zertifizierte Isolierung: Optionen mit 2,5 kV, 3,75 kV und 5 kV
  • 60 Jahre Lebensdauer bei konstanter Nennspannung
  • AEC-Q100-Qualifikation
Anwendungen
  • DC/DC-Wandler
  • Wechselrichter
  • Audioverstärker der Klasse D
  • Solar-Wechselrichter
  • Motorantriebe

Entwicklungswerkzeuge von EPC mit Halbrücke und Treiber

Die Halbbrücken-Entwicklungsboards vereinfachen die Evaluierung dieser eGaN-FET, indem alle kritischen Komponenten und das Layout für optimales Schaltverhalten auf einer einzigen Platine untergebracht werden, die sich leicht mit jedem bestehenden Wandler verbinden lässt.

Mitgelieferter Digital-Isolator von Silicon Labs

Die Digital-Isolatoren Si86xx von Silicon Labs bilden die branchenweit leistungsstärkste Serie von uni- und bidirektionalen Isolatoren mit der höchsten Kanalanzahl, die eine verstärkte Isolierung von bis zu 5 kVrms unterstützen. Die Isolatoren Si86xx basieren auf unserer patentierten CMOS-Isolatortechnologie und ermöglichen einen stabilen Betrieb in rauen industriellen Anwendungen.

EPC Half Bridge Plus Driver Development Tools

BildHersteller-TeilenummerBeschreibungEmbeddedVerfügbare MengeDetails anzeigen
BOARD DEV FOR EPC2010C 200V EGANEPC9003CBOARD DEV FOR EPC2010C 200V EGANNein80 - SofortDetails anzeigen
BOARD DEV FOR EPC2012C 200V EGANEPC9004CBOARD DEV FOR EPC2012C 200V EGANNein11 - SofortDetails anzeigen
BOARD DEV FOR EPC2019 200V EGANEPC9014BOARD DEV FOR EPC2019 200V EGAN-22 - SofortDetails anzeigen
BOARD DEV FOR EPC2033EPC9047BOARD DEV FOR EPC2033Nein28 - SofortDetails anzeigen
BOARD DEV FOR EPC2034EPC9048BOARD DEV FOR EPC2034Nein0Details anzeigen

Silicon Labs' Included Digital Isolator

BildHersteller-TeilenummerBeschreibungTechnologieSpannung - IsolationDatenrateVerfügbare MengeDetails anzeigen
DGTL ISO 3750VRMS 1CH GP 8SOICSI8610BC-B-ISDGTL ISO 3750VRMS 1CH GP 8SOICKapazitive Kopplung3750Vrms150MBits/s1028 - SofortDetails anzeigen
DGTL ISO 5000VRMS 1CH GP 16SOICSI8610BD-B-ISDGTL ISO 5000VRMS 1CH GP 16SOICKapazitive Kopplung5000Vrms150MBits/s209 - SofortDetails anzeigen
DGTL ISO 3750VRMS 1CH GP 8SOICSI8610EC-B-ISDGTL ISO 3750VRMS 1CH GP 8SOICKapazitive Kopplung3750Vrms150MBits/s770 - SofortDetails anzeigen
DGTL ISO 5000VRMS 1CH GP 16SOICSI8610ED-B-ISDGTL ISO 5000VRMS 1CH GP 16SOICKapazitive Kopplung5000Vrms150MBits/s90 - SofortDetails anzeigen
DGTL ISO 2500VRMS 1CH GP 8SOICSI8610AB-B-ISRDGTL ISO 2500VRMS 1CH GP 8SOICMagnetische Kopplung2500Vrms1MBits/s2081 - SofortDetails anzeigen
Veröffentlicht: 2018-12-20