Leistungsstarke IGBT-Lösungen RGA80TxX2EHRC

Die Komponenten RGA80TRX2EHRC15, RGA80TRX2HRC15, RGA80TSX2EHRC11 und RGA80TSX2HRC11 von ROHM Semiconductor sind leistungsstarke Bipolartransistoren mit isoliertem Gateanschluss (IGBTs). Diese IGBTs sind für einen hohen Wirkungsgrad und eine hohe Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Automobil- und Industrieanwendungen ausgelegt. Diese IGBTs mit einer Nennspannung von 1200 V und einer Stromkapazität von 69 A sind mit der Field-Stop-Trench-Technologie ausgestattet, die geringe Schalt- und Leitungsverluste gewährleistet. Die integrierte Fast-Recovery-Diode (FRD) verbessert die Leistung durch Verkürzung der Erholzeit, wodurch sich diese IGBTs ideal für Anwendungen eignen, die ein schnelles Schalten erfordern. Mit einer Kurzschlusstoleranz von 10 µs und der Einhaltung der AEC-Q101-Standards bieten diese IGBTs eine robuste Leistung und Langlebigkeit. Ihr kompaktes TO-247-Gehäusedesign erleichtert die Integration in verschiedene Systeme und gewährleistet ein optimales Wärmemanagement und eine effiziente Raumnutzung.