High-Side-Schalter BV1HB045EFJ-C

Die einkanaligen High-Side-Schalter BV1HB045EFJ-C der Serie IPD für den Automobilbereich von ROHM Semiconductor verfügen über eine integrierte Strommessfunktion

Abbildung: High-Side-Schalter BV1HB045EFJ-C von ROHM SemiconductorDie einkanaligen High-Side-Schalter BV1HB045EFJ-C von ROHM Semiconductor für den Automobilbereich verfügen über integrierte Funktionen für die Abschaltung bei geringer Leistung, die Erkennung offener Lasten, den Schutz vor thermischer Abschaltung und die Begrenzung von Überstrom. Sie sind in der Lage, den Ausgangsstrom der Last zu messen.

Merkmale/Funktionen
  • Integrierte Strommessfunktion
  • Eingebauter doppelter Temperaturschutz (Anmerkung: Zwei Arten des eingebauten Temperaturschutzes: Sperrschichttemperatur und ΔTj-Schutz, der einen plötzlichen Temperaturanstieg des Leistungs-MOS erkennt)
  • AEC-Q100-konform (Klasse 1)
  • Integrierte Funktion für Überstromschutz (OCP)
  • Integrierte Funktion zum Schutz vor thermischer Abschaltung (TSD)
  • Integrierte Funktion zur Erkennung offener Last
  • Integrierte Unterspannungsabschaltung (UVLO)
  • Integrierter Diagnoseausgang
  • Einzelner N-Kanal-MOSFET-Schalter mit niedrigem Einschaltwiderstand
  • Monolithischer Power-Management-IC mit Steuereinheit (CMOS) und Leistungs-MOSFET auf einem einzigen Chip
Hauptmerkmale
  • Betriebsspannungsbereich von 6 V bis 28 V
  • Durchlasswiderstand (Tj = +25 °C) von 45 mΩ (typ.)
  • Überstrombegrenzung: 21,0 A (mind.)
  • Standby-Strom (Tj = +25 °C) von 0,5 µA (max.)
  • Aktive Klemmtoleranz (Tj = +25 °C) von 130 mJ
Anwendungen/Zielmärkte
  • Widerstandslastinduktivität und Kapazitätslast

BV1HB045EFJ-C High Side Switch

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BUILT-IN CURRENT SENSING FUNCTIOBV1HB045EFJ-CE2BUILT-IN CURRENT SENSING FUNCTIO2320 - Sofort$1.10Details anzeigen
Veröffentlicht: 2024-09-23