SiC-Schottky-Sperrschichtdiode der Generation 1.5

Die Siliziumkarbid-(SiC)-Schottky-Sperrschichtdiode (SBD) der Generation 1.5 von PANJIT wurde entwickelt, damit Elektroingenieure leistungsstärkere Systeme mit geringerer Wärmeabgabe entwerfen können. Eine Fast-Recovery-Diode (FRD) weist beim Ausschalten einen gewissen Sperrverzögerungsstrom auf, der beim Einschalten des Hauptschalters zusätzliche Schaltverluste erzeugt. Im Gegensatz dazu hat die Schottky-Sperrschichtdiode keinen Rückstrom, so dass sie mit einer höheren Schaltfrequenz verwendet werden kann, aber sie hat den Nachteil einer niedrigeren Durchbruchspannung aufgrund höherer Leckströme. SiC-Komponenten haben eine höhere Bandlückenenergie als Silizium-Komponenten, was einen sehr niedrigen Leckstrom bedeutet. SiC-Komponenten haben eine höhere Elektronengeschwindigkeit, was zu einer besseren Schaltleistung als bei Siliziumbauteilen führt.

Die SiC-SBD Gen.1.5 von PANJIT ist so optimiert, dass die Durchlassspannung (V_F) nur geringfügig von der Temperatur abhängt, so dass Leitungsverluste bei höheren Betriebstemperaturen unterdrückt werden können. Sie verfügt über eine JBS-Struktur (Junction Barrier Schottky) durch Hinzufügen einer P+-Schicht auf dem Metallkontaktbereich. Die SiC-SBD-Gen.1.5-Produktreihe von PANJIT bietet Durchbruchspannungen von 650 V und 1200 V, Nennströme von 4 A bis 40 A und verschiedene diskrete Gehäuse wie TO-220AC, TO-252AA und TO-247AD-3LD.