650-V-N-Kanal-Super-Junction-MOSFETs

Die 650-V-N-Kanal-MOSFETs von PANJIT wurden aus das einfache und effiziente Design von Leistungswandlungsschaltkreisen in Komponenten wie AC/DC- und DC/DC-Wandlern optimiert. Die Super-Junction-MOSFETs von PANJIT erfordern weniger Entwicklungsaufwand, da sie eine angemessene Schaltleistung und einen niedrigen R_DS(ON) bieten, was zu einer kleineren Systemgröße mit geringerem Wärmeableitbedarf führt.

Die Super-Junction-MOSFETs von PANJIT bieten höchste dv/dt-Robustheit aufgrund ihrer Substratdiode. Die hohe Robustheit dieser Substratdiode kann die Zuverlässigkeit von Systemen erhöhen, die Substratdioden als Teil des gesamten Systembetriebs verwenden, wie z. B. LLC- und PSFB-Wandler (phase-shift full bridge). Sie sind auf eine hohe Performance und eine Q_rr/T_rr mit geringer Sperrverzögerung und schneller Umschaltung bei einem niedrigen R_DS(ON) von 60 mΩ bis 180 mΩ ausgelegt. Die MOSFETs sind in verschiedenen Gehäusen erhältlich, darunter TO-252AA, ITO-220AB-F, TO-220AB-L, TO-247AD-3LD und TOLLK, und eignen sie sich ideal für die Stromversorgung in Server-, Telekommunikations- und Industrieanwendungen. Diese Produkte sind aus umweltfreundlichem Formmaterial hergestellt und entsprechen der Norm IEC 61249 sowie der EU-Richtlinie RoHS 2.0.