Panasonic

CSP-Leistungs-MOSFETs der Serien FJ3P02100L und FK3P02110L

Mit einzigartigem Pad-Design und Drain-Clip-Technik

Abbildung: CSP-Leistungs-MOSFETs der Serien FJ3P02100L und FK3P02110L von PanasonicDie CSP-Leistungs-MOSFET-Serie von Panasonic bietet ein Power-Mount-CSP-Gehäuse (PMCP), das aus einem einzigartigen Pad-Design und Drain-Clip-Technik besteht. Dies ermöglicht eine um 5% verbesserte Wärmeableitung bei gleichzeitiger Verringerung der Größe um 80 % gegenüber herkömmlichen Lösungen. Die Fortschritte von Panasonic in der Zell-Technologie und Waferdünnung haben zu Silizium mit einer 110 nm feinen Trench-Zelle geführt, die einen 47 % niedrigeren RDS(on) im Vergleich zu gleichgroßen herkömmlichen Chips bietet. Durch die Nutzung dieser Technologie erreicht diese MOSFET-Serie eine höhere Energieeffizienz und reduziert den Stromverbrauch.

Merkmale Anwendungen
  • AEC-Q101-konform
  • Größe:
    • FJ3P02100L: 2,0 mm x 2,0 mm x 0,33 mm
    • FK3P02110L: 1,8 mm x 1,6 mm x 0,33 mm
  • RDS(on):
    • FJ3P02100L: 9,5 mΩ bei VGS=4,5 V (typisch)
    • FK3P02110L: 12,5 mΩ bei VGS=2,5 V (typisch)
  • Bleifreie Lötbumps, halogenfrei und RoHS-konform
  • Tragbare Audio-Player / Spielkonsolen / Hand-Sets / IC-Recorder
  • Blutzuckermessgeräte / Hörgeräte
  • IC-Karten
  • Zähler
  • Adapter
  • Smartphones / Tablet-PCs / E-Books
  • Server / Router


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Veröffentlicht: 2013-07-02